SJT 10740-1996 半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理
|
ID： |
03A38463A29544E685B48B403DB58BEE |
|
文件大小(MB)： |
1.35 |
|
页数： |
34 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-28 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
UDC 621*382.049.75-181.4:621.317.08,ttf 人民共和国国室标准,GB 3444—82,降为 SJ/T 10740-96,半导体集成电路双极型随机存储器,测试方法的基本原理,General principles of measuring methods of bipolar random,access memory for semiconductor integrated circuits,1 982 T2 - 31 发布1983 70 - 01 实施,画京オ示准局批准,中华人民共和国国家标准,半导体集成电路双极型随机存储器,UDC 62レ382.049,?75-181.4,：621.317.08,GB 3444—82,测试方法的基本原理,General principles of measuring methods of bipolar random,access memory for semiconductor integrated circuits,本标准规定了半导体集成电路双极型随机存储器（以下简称器件）静态参数、动态参数和功能测,试方法的基本原理,本标准是参考国际电エ委员会（IEC） 147—2《半导体器件和集成电路测试方法的基本原理》制,订的,若无特殊说明,本标准涉及的逻辑均为正逻辑,总的要求,1.1 若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定野,1.2 测试期间,应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范,的规定,1.3 测试期间,施于被测器件的电源电压应在规定值的±1 %以内。施于被测器件的其他电参量的,精度应符合器件详细规范的规定,1.4 被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用极限条件,1.5 在静态参数测试和动态参数测试前,应进行功能测试,1.6 每项测试前应有预置位周期,2静态参数测试,2.1 输入钳位电压匕k,2.1.1 定义,输入端在抽出规定的电流，火时的电压,2.1.2 测试原理图,TTL - RAM输入钳位电位％k测试原理图如图1所示,ね—,被测器件 - I,ー,ニ--- ーー,-,I,I,A,T,1,I,T,1,图,国家标准局1982 - 12-31发布1983 70-01 实施,1,GB 3444—82,2.1.3 测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a.,b.,环境温度な,2,2,2,2,2,2,2,2,2,1.4,1.4,1.4,1.4,1.4,1.4,电源电压に'グ,输入端抽出电流//K 〇,测试程序,在器件详细规范规定的环境温度な下,将被测器件接入测试系统中,电源电压た。调到器件详细规范规定的电压值,被测输入端抽出器件详细规范规定的电流ムK,其余输入端开路,输出端开路,在被测输入端测得输入钳位电压ZK,按本标准第2.1.4.3项至2.1.4.5项规定,分别测试每个输入端,2输出高电平电压匕）//,2.1定义,1,2,3,5,输入端在施加规定的电平下,使输出端为逻辑高电平ZZ时的电压,2.2.2测试原理图,TTL - RAM输出高电平电压分”测试原理图如图2所示,图2,ECL - RAM输出高电平电压%0”测试原理图如图3所示,输入网络,被澗器件,ェ,图3,2.2.3测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a.环境温度力;,b. TTL-RAM的电源电压アcc$,2,GB 3444—82,ECL- RAM的电源电压ダeeキ,c.输入端施加电平;,d.输出端负载电流/。h,2.2.4测试程序,2.2.4.1,2.2.4.2,2.2.4.3,2.2.4.4,2.2.4.5,2.2.4.6,在器件详细规范规定的环境温度ハ下，将被测器件接入测试系统中,TTL-RAM的电源电压，cc调到器件详细规范规定的电压值,ECL- RAM的电源电压，钮调到器件详细规范规定的电压值,输入端施加器件详细规范规定的电平,被测输出端抽出器件详细规范规定的负载电流，。冃，其余输出端开路,在被测输出端测得输出高电平电压たな,按本标准第2.2.4.3项至2.2.4.5项规定,分别测试每个输出端,2.3输出低电平电压匕7厶,2.3.1 定义,输入端在施加规定的电平时,使输出端为逻辑低电平丄时的电压,2.3.2 测试原理图,TTL - RAM输出低电平电压アol测试原理图如图4所示,输入网络,被测器件,■ ■ mIhb,图4,ECL- RAM输出低电平电压，oエ测试原理图如图5所示,图5,2.3.3测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a.,b.,环境温度ア,TTL - RAM的电源电压Vcc ；,ECL- RAM的电源电压グ石ル,3,GB 3444—82,2,2,2,c.输入端施加的电平キ,d,输出端负载电流/。小,3.4 测试程序,3.4.1,3.4.2,在器件详细规范规定的环境温度T4下,将被测器件接入测试系统中,TTL- RAM的电源电压，”调到器件详细规范规定的电压值;,ECL - RAM的电源电压，ee调到器件详细规范规定的电压值,2,2,2,2,2,3.4.3,3.4.4,3.4.5,3.4.6,输入端施加器件详细规范规定的电平,被测输出端注入器件详细规范规定的负载电流/ol，其余输出端开路,在被测输出端测得输出低电平电压人）エ,按本标准第2.3.4.3项至2.3.4.5项规定,分别测试每个输出端,4输入高电平电流，出,2.4.1 定义,输入端施加规定的高电平电压グ出时流入器件的电流,2……
……